Bipolartransistor BDX67

Elektrische Eigenschaften des Transistors BDX67

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 16 A
  • Verlustleistung, max: 150 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 1000
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +200 °C
  • Gehäuse: TO-3

Pinbelegung des BDX67

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BDX67 ist der BDX66.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BDX67

Sie können den Transistor BDX67 durch einen BDX67A, BDX67B, BDX67C, BDX69, BDX69A, BDX69B, BDX69C, MJ11012, MJ11012G, MJ11014, MJ11014G, MJ11016, MJ11016G, MJ11028, MJ11028G, MJ11030, MJ11030G, MJ11032, MJ11032G, MJ4033, MJ4034 oder MJ4035 ersetzen.
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