Bipolartransistor MJ11016G

Elektrische Eigenschaften des Transistors MJ11016G

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 120 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 120 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 30 A
  • Verlustleistung, max: 200 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 1000
  • Übergangsfrequenz, min: 4 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
  • Gehäuse: TO-3
  • Der MJ11016G ist die bleifreie Version des MJ11016-Transistors

Pinbelegung des MJ11016G

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Equivalent circuit

MJ11016G equivalent circuit

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum MJ11016G ist der MJ11015G.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MJ11016G

Sie können den Transistor MJ11016G durch einen MJ11016, MJ11032 oder MJ11032G ersetzen.
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