Bipolartransistor MJ11032

Elektrische Eigenschaften des Transistors MJ11032

Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 120 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 120 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 50 A
Verlustleistung, max: 300 W
Gleichstromverstärkung (h_fe): 1000 bis 18000
Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
Gehäuse: TO-3

Pinbelegung des MJ11032

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Equivalent circuit

MJ11032 equivalent circuit

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum MJ11032 ist der MJ11033.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MJ11032

Sie können den Transistor MJ11032 durch einen MJ11032G ersetzen.

Bleifreie Version

Der MJ11032G-Transistor ist die bleifreie Version des MJ11032.

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