Bipolartransistor MJ900
Elektrische Eigenschaften des Transistors MJ900
- Typ: PNP
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -8 A
- Verlustleistung, max: 90 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 1000
- Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
- Gehäuse: TO-3
Pinbelegung des MJ900
Komplementärer NPN-Transistor
Ersatz und Äquivalent für Transistor MJ900
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