Bipolartransistor MJ11012G

Elektrische Eigenschaften des Transistors MJ11012G

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 30 A
  • Verlustleistung, max: 200 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 1000
  • Übergangsfrequenz, min: 4 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
  • Gehäuse: TO-3
  • Der MJ11012G ist die bleifreie Version des MJ11012-Transistors

Pinbelegung des MJ11012G

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Equivalent circuit

MJ11012G equivalent circuit

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum MJ11012G ist der MJ11011G.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MJ11012G

Sie können den Transistor MJ11012G durch einen MJ11012, MJ11014, MJ11014G, MJ11016, MJ11016G, MJ11028, MJ11028G, MJ11030, MJ11030G, MJ11032 oder MJ11032G ersetzen.
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