Bipolartransistor MJ11016

Elektrische Eigenschaften des Transistors MJ11016

Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 120 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 120 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 30 A
Verlustleistung, max: 200 W
Gleichstromverstärkung (h_fe): 1000
Übergangsfrequenz, min: 4 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
Gehäuse: TO-3

Pinbelegung des MJ11016

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Equivalent circuit

MJ11016 equivalent circuit

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum MJ11016 ist der MJ11015.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MJ11016

Sie können den Transistor MJ11016 durch einen MJ11016G, MJ11032 oder MJ11032G ersetzen.

Bleifreie Version

Der MJ11016G-Transistor ist die bleifreie Version des MJ11016.

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