Bipolartransistor MJ11032G

Elektrische Eigenschaften des Transistors MJ11032G

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 120 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 120 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 50 A
  • Verlustleistung, max: 300 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 1000 bis 18000
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
  • Gehäuse: TO-3
  • Der MJ11032G ist die bleifreie Version des MJ11032-Transistors

Pinbelegung des MJ11032G

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Equivalent circuit

MJ11032G equivalent circuit

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum MJ11032G ist der MJ11033G.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MJ11032G

Sie können den Transistor MJ11032G durch einen MJ11032 ersetzen.
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