Bipolartransistor MJ11032G
Elektrische Eigenschaften des Transistors MJ11032G
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 120 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 120 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 50 A
- Verlustleistung, max: 300 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 1000 bis 18000
- Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
- Gehäuse: TO-3
- Der MJ11032G ist die bleifreie Version des MJ11032-Transistors
Pinbelegung des MJ11032G
Equivalent circuit
Komplementärer PNP-Transistor
Ersatz und Äquivalent für Transistor MJ11032G
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