Bipolartransistor BDX67A

Elektrische Eigenschaften des Transistors BDX67A

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 16 A
  • Verlustleistung, max: 150 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 1000
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +200 °C
  • Gehäuse: TO-3

Pinbelegung des BDX67A

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BDX67A ist der BDX66A.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BDX67A

Sie können den Transistor BDX67A durch einen BDX67B, BDX67C, BDX69A, BDX69B, BDX69C, MJ11014, MJ11014G, MJ11016, MJ11016G, MJ11030, MJ11030G, MJ11032, MJ11032G, MJ4034 oder MJ4035 ersetzen.
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