Transistor bipolaire BD535J

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 60 V
• Tension collecteur-base maximum: 60 V
• Tension émetteur-base maximum: 5 V
• Courant collecteur continu maximum: 8 A
• Dissipation de puissance maximum: 50 W
• Gain de courant (h_fe): 30 à 75
• Fréquence de transition minimum: 3 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-220

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor BD535J peut avoir un gain en courant continu de 30 à 75. Le gain en courant continu du BD535 est compris entre 40 à 0, celui du BD535K entre 40 à 100.Le transistor PNP complémentaire du BD535J est le BD536J.Vous pouvez remplacer le transistor BD535J par 2N6098, 2N6099, 2N6100, 2N6101, 2N6487, 2N6487G, 2N6488, 2N6488G, BD203, BD303, BD537J, BD707, BD709, BD711, BD743A, BD743B, BD743C, BD797, BD799, BD801, BD807, BD809, BD907, BD909, BD911, BDT91, BDT91F, BDT93, BDT93F, BDT95, BDT95F, BDX77, MJE2801T, MJE3055T, MJE3055TG, MJF3055 ou MJF3055G.Same transistor is also available in:

• TO-126 package, BD442G: 36 watts