Transistor bipolaire BD536J

Caractéristiques électriques du transistor BD536J

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -60 V
  • Tension collecteur-base maximum: -60 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -8 A
  • Dissipation de puissance maximum: 50 W
  • Gain de courant (hfe): 30 à 75
  • Fréquence de transition minimum: 3 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220

Brochage du BD536J

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor BD536J peut avoir un gain en courant continu de 30 à 75. Le gain en courant continu du BD536 est compris entre 40 à 0, celui du BD536K entre 40 à 100.

Complémentaire du transistor BD536J

Le transistor NPN complémentaire du BD536J est le BD535J.

Substituts et équivalents pour le transistor BD536J

Vous pouvez remplacer le transistor BD536J par 2N6490, 2N6490G, 2N6491, 2N6491G, BD204, BD304, BD538J, BD708, BD710, BD712, BD744A, BD744B, BD744C, BD798, BD800, BD802, BD808, BD810, BD908, BD910, BD912, BDT92, BDT92F, BDT94, BDT94F, BDT96, BDT96F, BDX78, MJE2901T, MJE2955T, MJE2955TG, MJF2955 ou MJF2955G.

Equivalent

Same transistor is also available in:
  • TO-220 package, BD533K: 50 watts
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