Transistor bipolaire BD537J

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 80 V
• Tension collecteur-base maximum: 80 V
• Tension émetteur-base maximum: 5 V
• Courant collecteur continu maximum: 8 A
• Dissipation de puissance maximum: 50 W
• Gain de courant (h_fe): 30 à 75
• Fréquence de transition minimum: 3 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-220

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor BD537J peut avoir un gain en courant continu de 30 à 75. Le gain en courant continu du BD537 est compris entre 40 à 0, celui du BD537K entre 40 à 100.Le transistor PNP complémentaire du BD537J est le BD538J.Vous pouvez remplacer le transistor BD537J par 2N6100, 2N6101, 2N6488, 2N6488G, BD709, BD711, BD743B, BD743C, BD799, BD801, BD809, BD909, BD911, BDT93, BDT93F, BDT95, BDT95F, BDX77, MJF3055 ou MJF3055G.