Transistor bipolaire 2N6099

Caractéristiques électriques du transistor 2N6099

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 70 V
  • Tension collecteur-base maximum: 70 V
  • Tension émetteur-base maximum: 8 V
  • Courant collecteur continu maximum: 10 A
  • Dissipation de puissance maximum: 75 W
  • Gain de courant (hfe): 20 à 80
  • Fréquence de transition minimum: 1 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220

Brochage du 2N6099

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Substituts et équivalents pour le transistor 2N6099

Vous pouvez remplacer le transistor 2N6099 par 2N6098, 2N6100, 2N6101, 2N6488, 2N6488G, BD709, BD711, BD743B, BD743C, BD909, BD911, BDT93, BDT93F, BDT95, BDT95F, MJF3055 ou MJF3055G.
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