Caractéristiques électriques du transistor 2SD526-O
Type de transistor: NPN
Tension collecteur-émetteur maximum: 80 V
Tension collecteur-base maximum: 80 V
Tension émetteur-base maximum: 5 V
Courant collecteur continu maximum: 4 A
Dissipation de puissance maximum: 30 W
Gain de courant (hfe): 70 à 140
Fréquence de transition minimum: 8 MHz
Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
Boîtier: TO-220
Brochage du 2SD526-O
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Le transistor 2SD526-O peut avoir un gain en courant continu de 70 à 140. Le gain en courant continu du 2SD526 est compris entre 40 à 240, celui du 2SD526-R entre 40 à 80, celui du 2SD526-Y entre 120 à 240.
Marquage
Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD526-O peut n'être marqué que D526-O.
Complémentaire du transistor 2SD526-O
Le transistor PNP complémentaire du 2SD526-O est le 2SB596-O.
Version SMD du transistor 2SD526-O
Le BDP951 (SOT-223) est la version SMD du transistor 2SD526-O.
Substituts et équivalents pour le transistor 2SD526-O
