Caractéristiques électriques du transistor KTC2018-O
Type de transistor: NPN
Tension collecteur-émetteur maximum: 100 V
Tension collecteur-base maximum: 100 V
Tension émetteur-base maximum: 5 V
Courant collecteur continu maximum: 5 A
Dissipation de puissance maximum: 40 W
Gain de courant (hfe): 70 à 140
Fréquence de transition minimum: 30 MHz
Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
Boîtier: TO-220F
Brochage du KTC2018-O
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Le transistor KTC2018-O peut avoir un gain en courant continu de 70 à 140. Le gain en courant continu du KTC2018 est compris entre 70 à 240, celui du KTC2018-Y entre 120 à 240.
Complémentaire du transistor KTC2018-O
Le transistor PNP complémentaire du KTC2018-O est le KTA1038-O.
Version SMD du transistor KTC2018-O
Le BDP953 (SOT-223) est la version SMD du transistor KTC2018-O.
Substituts et équivalents pour le transistor KTC2018-O