Caractéristiques électriques du transistor 2SB795-M
Type de transistor: PNP
Tension collecteur-émetteur maximum: -80 V
Tension collecteur-base maximum: -80 V
Tension émetteur-base maximum: -8 V
Courant collecteur continu maximum: -1.5 A
Dissipation de puissance maximum: 10 W
Gain de courant (hfe): 2000 à 5000
Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
Boîtier: TO-126
Brochage du 2SB795-M
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Le transistor 2SB795-M peut avoir un gain en courant continu de 2000 à 5000. Le gain en courant continu du 2SB795 est compris entre 2000 à 30000, celui du 2SB795-K entre 8000 à 30000, celui du 2SB795-L entre 4000 à 10000.
Marquage
Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB795-M peut n'être marqué que B795-M.
Complémentaire du transistor 2SB795-M
Le transistor NPN complémentaire du 2SB795-M est le 2SD986-M.
Version SMD du transistor 2SB795-M
Le BSP62 (SOT-223), BSP62T1 (SOT-223), BSP62T1G (SOT-223), BSP62T3 (SOT-223) et BSP62T3G (SOT-223) est la version SMD du transistor 2SB795-M.
Substituts et équivalents pour le transistor 2SB795-M