Transistor bipolaire KSB1149
Caractéristiques électriques du transistor KSB1149
- Type de transistor: PNP
- Tension collecteur-émetteur maximum: -100 V
- Tension collecteur-base maximum: -100 V
- Tension émetteur-base maximum: -8 V
- Courant collecteur continu maximum: -3 A
- Dissipation de puissance maximum: 15 W
- Gain de courant (hfe): 2000 à 20000
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
- Boîtier: TO-126
- Electrically Similar to the Popular 2SB1149 transistor
Brochage du KSB1149
Classification de hFE
Substituts et équivalents pour le transistor KSB1149
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