Transistor bipolaire BD682G

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -100 V
• Tension collecteur-base maximum: -100 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -4 A
• Dissipation de puissance maximum: 40 W
• Gain de courant (h_fe): 750
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-126
• Le BD682G est la version sans plomb du transistor BD682

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor NPN complémentaire du BD682G est le BD681G.Vous pouvez remplacer le transistor BD682G par BD682.