Transistor bipolaire MJE271

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -100 V
• Tension collecteur-base maximum: -100 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -2 A
• Dissipation de puissance maximum: 15 W
• Gain de courant (h_fe): 1500
• Fréquence de transition minimum: 6 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-126

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor NPN complémentaire du MJE271 est le MJE270.Vous pouvez remplacer le transistor MJE271 par 2SB1149, 2SB1149-K, 2SB1149-L, 2SB1149-M, KSB1149, KSB1149-G, KSB1149-O, KSB1149-Y ou MJE271G.Le transistor MJE271G est la version sans plomb du MJE271.