Transistor bipolaire KSB795

Caractéristiques électriques du transistor KSB795

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -80 V
  • Tension collecteur-base maximum: -80 V
  • Tension émetteur-base maximum: -8 V
  • Courant collecteur continu maximum: -1.5 A
  • Dissipation de puissance maximum: 10 W
  • Gain de courant (hfe): 2000 à 30000
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-126
  • Electrically Similar to the Popular 2SB795 transistor

Brochage du KSB795

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor KSB795 peut avoir un gain en courant continu de 2000 à 30000. Le gain en courant continu du KSB795-O est compris entre 4000 à 10000, celui du KSB795-R entre 2000 à 5000, celui du KSB795-Y entre 8000 à 30000.

Complémentaire du transistor KSB795

Le transistor NPN complémentaire du KSB795 est le KSB986.

Version SMD du transistor KSB795

Le BSP62 (SOT-223), BSP62T1 (SOT-223), BSP62T1G (SOT-223), BSP62T3 (SOT-223) et BSP62T3G (SOT-223) est la version SMD du transistor KSB795.

Substituts et équivalents pour le transistor KSB795

Vous pouvez remplacer le transistor KSB795 par 2SB1067, 2SB795, BD170, BD238, BD238G, BD680, BD680A, BD680AG, BD680G, BD682, BD682G, BD780, KSE702, KSE703, MJE252, MJE254, MJE271, MJE271G, MJE702, MJE702G, MJE703, MJE703G ou MJE712.
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