Transistor bipolaire MJE702G

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -80 V
• Tension collecteur-base maximum: -80 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -4 A
• Dissipation de puissance maximum: 40 W
• Gain de courant (h_fe): 750
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: TO-126

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor NPN complémentaire du MJE702G est le MJE802G.Vous pouvez remplacer le transistor MJE702G par 2N6036, 2N6036G, BD680, BD680A, BD680AG, BD680G, BD682, BD682G, BD780, KSE702, KSE703, MJE702, MJE703 ou MJE703G.