Transistor bipolaire BD238G
Caractéristiques électriques du transistor BD238G
- Type de transistor: PNP
- Tension collecteur-émetteur maximum: -80 V
- Tension collecteur-base maximum: -100 V
- Tension émetteur-base maximum: -5 V
- Courant collecteur continu maximum: -2 A
- Dissipation de puissance maximum: 25 W
- Gain de courant (hfe): 40
- Fréquence de transition minimum: 3 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
- Boîtier: TO-126
Brochage du BD238G
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Complémentaire du transistor BD238G
Le transistor
NPN complémentaire du BD238G est le
BD237G.
Version SMD du transistor BD238G
Le
BCP53 (SOT-223),
BCP53-10 (SOT-223),
BCP53-16 (SOT-223),
BCX53 (SOT-89),
BCX53-10 (SOT-89) et
BCX53-16 (SOT-89) est la version SMD du transistor BD238G.
Substituts et équivalents pour le transistor BD238G
Vous pouvez remplacer le transistor BD238G par
2N6036,
2N6036G,
2SB1067,
2SB1149,
2SB1149-K,
2SB1149-L,
2SB1149-M,
2SB1167,
2SB1167-Q,
2SB1167-R,
2SB1167-S,
2SB1167-T,
2SB1168,
2SB1168-Q,
2SB1168-R,
2SB1168-S,
2SB1168-T,
BD180,
BD180-10,
BD180-6,
BD180G,
BD238,
BD380,
BD380-10,
BD380-16,
BD380-25,
BD380-6,
BD442,
BD442G,
BD680,
BD680A,
BD680AG,
BD680G,
BD682,
BD682G,
BD780,
BD790,
BD792,
KSB1149,
KSB1149-G,
KSB1149-O,
KSB1149-Y,
KSE172,
KSE702,
KSE703,
MJE172,
MJE172G,
MJE250,
MJE251,
MJE253,
MJE253G,
MJE271,
MJE271G,
MJE702,
MJE702G,
MJE703 ou
MJE703G.
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