Transistor bipolaire BD238G

Caractéristiques électriques du transistor BD238G

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -80 V
  • Tension collecteur-base maximum: -100 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -2 A
  • Dissipation de puissance maximum: 25 W
  • Gain de courant (hfe): 40
  • Fréquence de transition minimum: 3 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: TO-126

Brochage du BD238G

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor BD238G

Le transistor NPN complémentaire du BD238G est le BD237G.

Version SMD du transistor BD238G

Le BCP53 (SOT-223), BCP53-10 (SOT-223), BCP53-16 (SOT-223), BCX53 (SOT-89), BCX53-10 (SOT-89) et BCX53-16 (SOT-89) est la version SMD du transistor BD238G.

Substituts et équivalents pour le transistor BD238G

Vous pouvez remplacer le transistor BD238G par 2N6036, 2N6036G, 2SB1067, 2SB1149, 2SB1149-K, 2SB1149-L, 2SB1149-M, 2SB1167, 2SB1167-Q, 2SB1167-R, 2SB1167-S, 2SB1167-T, 2SB1168, 2SB1168-Q, 2SB1168-R, 2SB1168-S, 2SB1168-T, BD180, BD180-10, BD180-6, BD180G, BD238, BD380, BD380-10, BD380-16, BD380-25, BD380-6, BD442, BD442G, BD680, BD680A, BD680AG, BD680G, BD682, BD682G, BD780, BD790, BD792, KSB1149, KSB1149-G, KSB1149-O, KSB1149-Y, KSE172, KSE702, KSE703, MJE172, MJE172G, MJE250, MJE251, MJE253, MJE253G, MJE271, MJE271G, MJE702, MJE702G, MJE703 ou MJE703G.
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