Transistor bipolaire MJE252

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -80 V
• Tension collecteur-base maximum: -80 V
• Tension émetteur-base maximum: -7 V
• Courant collecteur continu maximum: -4 A
• Dissipation de puissance maximum: 15 W
• Gain de courant (h_fe): 25
• Fréquence de transition minimum: 2 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-126

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor NPN complémentaire du MJE252 est le MJE242.Le BDP952 (SOT-223) est la version SMD du transistor MJE252.Vous pouvez remplacer le transistor MJE252 par 2N4920, 2N4920G, 2N6036, 2N6036G, 2SB1168, 2SB1168-Q, 2SB1168-R, 2SB1168-S, 2SB1168-T, BD442, BD442G, BD680, BD680A, BD680AG, BD680G, BD682, BD682G, BD780, BD790, BD792, KSE702, KSE703, MJE250, MJE251, MJE253, MJE253G, MJE254, MJE702, MJE702G, MJE703 ou MJE703G.