Transistor bipolaire MJE271G

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -100 V
• Tension collecteur-base maximum: -100 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -2 A
• Dissipation de puissance maximum: 15 W
• Gain de courant (h_fe): 1500
• Fréquence de transition minimum: 6 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-126
• Le MJE271G est la version sans plomb du transistor MJE271

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor NPN complémentaire du MJE271G est le MJE270G.Vous pouvez remplacer le transistor MJE271G par 2SB1149, 2SB1149-K, 2SB1149-L, 2SB1149-M, KSB1149, KSB1149-G, KSB1149-O, KSB1149-Y ou MJE271.