Transistor bipolaire 2N6036G

Caractéristiques électriques du transistor 2N6036G

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -80 V
  • Tension collecteur-base maximum: -80 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -4 A
  • Dissipation de puissance maximum: 40 W
  • Gain de courant (hfe): 750 à 15000
  • Fréquence de transition minimum: 25 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: TO-126
  • Le 2N6036G est la version sans plomb du transistor 2N6036

Brochage du 2N6036G

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor 2N6036G

Le transistor NPN complémentaire du 2N6036G est le 2N6039G.

Substituts et équivalents pour le transistor 2N6036G

Vous pouvez remplacer le transistor 2N6036G par 2N6036, BD680, BD680A, BD680AG, BD680G, BD682, BD682G, BD780, KSE702, KSE703, MJE252, MJE254, MJE702, MJE702G, MJE703 ou MJE703G.
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