Transistor bipolaire 2SB1149-M
Caractéristiques électriques du transistor 2SB1149-M
- Type de transistor: PNP
- Tension collecteur-émetteur maximum: -100 V
- Tension collecteur-base maximum: -100 V
- Tension émetteur-base maximum: -8 V
- Courant collecteur continu maximum: -3 A
- Dissipation de puissance maximum: 15 W
- Gain de courant (hfe): 2000 à 5000
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
- Boîtier: TO-126
Brochage du 2SB1149-M
Classification de hFE
Marquage
Substituts et équivalents pour le transistor 2SB1149-M
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