Transistor bipolaire 2SB1149-M

Caractéristiques électriques du transistor 2SB1149-M

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -100 V
  • Tension collecteur-base maximum: -100 V
  • Tension émetteur-base maximum: -8 V
  • Courant collecteur continu maximum: -3 A
  • Dissipation de puissance maximum: 15 W
  • Gain de courant (hfe): 2000 à 5000
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-126

Brochage du 2SB1149-M

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SB1149-M peut avoir un gain en courant continu de 2000 à 5000. Le gain en courant continu du 2SB1149 est compris entre 2000 à 15000, celui du 2SB1149-K entre 5000 à 15000, celui du 2SB1149-L entre 3000 à 7000.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB1149-M peut n'être marqué que B1149-M.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SB1149-M

Vous pouvez remplacer le transistor 2SB1149-M par BD682, BD682G, KSB1149, KSB1149-O ou MJE254.
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