Transistor bipolaire 2SB795-L

Caractéristiques électriques du transistor 2SB795-L

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -80 V
  • Tension collecteur-base maximum: -80 V
  • Tension émetteur-base maximum: -8 V
  • Courant collecteur continu maximum: -1.5 A
  • Dissipation de puissance maximum: 10 W
  • Gain de courant (hfe): 4000 à 10000
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-126

Brochage du 2SB795-L

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SB795-L peut avoir un gain en courant continu de 4000 à 10000. Le gain en courant continu du 2SB795 est compris entre 2000 à 30000, celui du 2SB795-K entre 8000 à 30000, celui du 2SB795-M entre 2000 à 5000.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB795-L peut n'être marqué que B795-L.

Complémentaire du transistor 2SB795-L

Le transistor NPN complémentaire du 2SB795-L est le 2SD986-L.

Version SMD du transistor 2SB795-L

Le BSP62 (SOT-223), BSP62T1 (SOT-223), BSP62T1G (SOT-223), BSP62T3 (SOT-223) et BSP62T3G (SOT-223) est la version SMD du transistor 2SB795-L.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SB795-L

Vous pouvez remplacer le transistor 2SB795-L par 2N6036, 2N6036G, 2SB1067, 2SB1149, BD170, BD238, BD238G, BD680, BD680A, BD680AG, BD680G, BD682, BD682G, BD780, KSB1149, KSB1149-Y, KSB795, KSB795-O, KSE702, KSE703, MJE252, MJE254, MJE271, MJE271G, MJE702, MJE702G, MJE703, MJE703G ou MJE712.
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