Transistor bipolar MJ1000

Características del transistor MJ1000

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 60 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 60 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 8 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 90 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 1000
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +200 °C
  • Encapsulado: TO-3

Diagrama de pines del MJ1000

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del MJ1000 es el MJ900.

Sustitución y equivalentes para el transistor MJ1000

Puede sustituir el MJ1000 por el 2N6384, 2N6385, BDX63, BDX63A, BDX63B, BDX63C, BDX65, BDX65A, BDX65B, BDX65C, BDX67, BDX67A, BDX67B, BDX67C, BDX69, BDX69A, BDX69B, BDX69C, MJ1001, MJ11012, MJ11012G, MJ11014, MJ11014G, MJ11016, MJ11016G, MJ11028, MJ11028G, MJ11030, MJ11030G, MJ11032, MJ11032G, MJ3000, MJ3001, MJ4033, MJ4034, MJ4035, TIP600, TIP601, TIP602, TIP640, TIP641 o TIP642.
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