Transistor bipolar MJ11032

Características del transistor MJ11032

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 120 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 120 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 50 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 300 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 1000 a 18000
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +200 °C
  • Encapsulado: TO-3

Diagrama de pines del MJ11032

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Equivalent circuit

MJ11032 equivalent circuit

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del MJ11032 es el MJ11033.

Sustitución y equivalentes para el transistor MJ11032

Puede sustituir el MJ11032 por el MJ11032G.

Versión sin plomo

El transistor MJ11032G es la versión sin plomo del MJ11032.
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