Transistor bipolar MJ11014G
Características del transistor MJ11014G
- Tipo: NPN
- Tensión Máxima Colector-Emisor: 90 V
- Tensión Máxima Colector-Base: 90 V
- Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
- Corriente DC Máxima del Colector: 30 A
- Disipación de Potencia Máxima: 200 W
- Ganancia de corriente continua (hfe): 1000
- Frecuencia máxima de trabajo: 4 MHz
- Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +200 °C
- Encapsulado: TO-3
- El MJ11014G es la versión sin plomo del transistor MJ11014
Diagrama de pines del MJ11014G
Equivalent circuit
Transistor PNP complementario
Sustitución y equivalentes para el transistor MJ11014G
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