Transistor bipolar MJ11014G

Características del transistor MJ11014G

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 90 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 90 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 30 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 200 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 1000
  • Frecuencia máxima de trabajo: 4 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +200 °C
  • Encapsulado: TO-3
  • El MJ11014G es la versión sin plomo del transistor MJ11014

Diagrama de pines del MJ11014G

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Equivalent circuit

MJ11014G equivalent circuit

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del MJ11014G es el MJ11013G.

Sustitución y equivalentes para el transistor MJ11014G

Puede sustituir el MJ11014G por el MJ11014, MJ11016, MJ11016G, MJ11030, MJ11030G, MJ11032 o MJ11032G.
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