Transistor bipolar MJ1001

Características del transistor MJ1001

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 80 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 80 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 8 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 90 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 1000
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +200 °C
  • Encapsulado: TO-3

Diagrama de pines del MJ1001

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del MJ1001 es el MJ901.

Sustitución y equivalentes para el transistor MJ1001

Puede sustituir el MJ1001 por el 2N6385, BDX63A, BDX63B, BDX63C, BDX65A, BDX65B, BDX65C, BDX67A, BDX67B, BDX67C, BDX69A, BDX69B, BDX69C, MJ11014, MJ11014G, MJ11016, MJ11016G, MJ11030, MJ11030G, MJ11032, MJ11032G, MJ3001, MJ4034, MJ4035, TIP601, TIP602, TIP641 o TIP642.
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