Transistor bipolar BDX63C

Características del transistor BDX63C

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 120 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 140 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 8 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 90 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 1000
  • Frecuencia máxima de trabajo: 7 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +200 °C
  • Encapsulado: TO-3

Diagrama de pines del BDX63C

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del BDX63C es el BDX62C.

Sustitución y equivalentes para el transistor BDX63C

Puede sustituir el BDX63C por el BDX65C, BDX67C, BDX69C, MJ11016, MJ11016G, MJ11032 o MJ11032G.
Si encuentra un error, envíe un correo electrónico a mail@el-component.com