Transistor bipolar MJ11032G
Características del transistor MJ11032G
- Tipo: NPN
- Tensión Máxima Colector-Emisor: 120 V
- Tensión Máxima Colector-Base: 120 V
- Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
- Corriente DC Máxima del Colector: 50 A
- Disipación de Potencia Máxima: 300 W
- Ganancia de corriente continua (hfe): 1000 a 18000
- Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +200 °C
- Encapsulado: TO-3
- El MJ11032G es la versión sin plomo del transistor MJ11032
Diagrama de pines del MJ11032G
Equivalent circuit
Transistor PNP complementario
Sustitución y equivalentes para el transistor MJ11032G
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