Transistor bipolar MJ11032G

Características del transistor MJ11032G

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 120 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 120 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 50 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 300 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 1000 a 18000
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +200 °C
  • Encapsulado: TO-3
  • El MJ11032G es la versión sin plomo del transistor MJ11032

Diagrama de pines del MJ11032G

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Equivalent circuit

MJ11032G equivalent circuit

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del MJ11032G es el MJ11033G.

Sustitución y equivalentes para el transistor MJ11032G

Puede sustituir el MJ11032G por el MJ11032.
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