Transistor bipolar BDX63B

• Tipo: NPN
• Tensión Máxima Colector-Emisor: 100 V
• Tensión Máxima Colector-Base: 120 V
• Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
• Corriente DC Máxima del Colector: 8 A
• Disipación de Potencia Máxima: 90 W
• Ganancia de corriente continua (h_fe): 1000
• Frecuencia máxima de trabajo: 7 MHz
• Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +200 °C
• Encapsulado: TO-3

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.El transistor PNP complementario del BDX63B es el BDX62B.Puede sustituir el BDX63B por el BDX63C, BDX65B, BDX65C, BDX67B, BDX67C, BDX69B, BDX69C, MJ11016, MJ11016G, MJ11032, MJ11032G, MJ4035, TIP602 o TIP642.