Transistor bipolar MJ11016G

• Tipo: NPN
• Tensión Máxima Colector-Emisor: 120 V
• Tensión Máxima Colector-Base: 120 V
• Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
• Corriente DC Máxima del Colector: 30 A
• Disipación de Potencia Máxima: 200 W
• Ganancia de corriente continua (h_fe): 1000
• Frecuencia máxima de trabajo: 4 MHz
• Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +200 °C
• Encapsulado: TO-3
• El MJ11016G es la versión sin plomo del transistor MJ11016

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.El transistor PNP complementario del MJ11016G es el MJ11015G.Puede sustituir el MJ11016G por el MJ11016, MJ11032 o MJ11032G.