Transistor bipolar BDX65

Características del transistor BDX65

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 60 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 60 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 12 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 117 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 1000
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +200 °C
  • Encapsulado: TO-3

Diagrama de pines del BDX65

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del BDX65 es el BDX64.

Sustitución y equivalentes para el transistor BDX65

Puede sustituir el BDX65 por el BDX65A, BDX65B, BDX65C, BDX67, BDX67A, BDX67B, BDX67C, BDX69, BDX69A, BDX69B, BDX69C, MJ11012, MJ11012G, MJ11014, MJ11014G, MJ11016, MJ11016G, MJ11028, MJ11028G, MJ11030, MJ11030G, MJ11032, MJ11032G, MJ4033, MJ4034 o MJ4035.
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