Transistor bipolar MJ11030

Características del transistor MJ11030

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 90 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 90 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 50 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 300 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 1000 a 18000
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +200 °C
  • Encapsulado: TO-3

Diagrama de pines del MJ11030

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Equivalent circuit

MJ11030 equivalent circuit

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del MJ11030 es el MJ11031.

Sustitución y equivalentes para el transistor MJ11030

Puede sustituir el MJ11030 por el MJ11030G, MJ11032 o MJ11032G.

Versión sin plomo

El transistor MJ11030G es la versión sin plomo del MJ11030.
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