Transistor bipolar MJ11012

Características del transistor MJ11012

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 60 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 60 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 30 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 200 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 1000
  • Frecuencia máxima de trabajo: 4 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +200 °C
  • Encapsulado: TO-3

Diagrama de pines del MJ11012

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Equivalent circuit

MJ11012 equivalent circuit

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del MJ11012 es el MJ11011.

Sustitución y equivalentes para el transistor MJ11012

Puede sustituir el MJ11012 por el MJ11012G, MJ11014, MJ11014G, MJ11016, MJ11016G, MJ11028, MJ11028G, MJ11030, MJ11030G, MJ11032 o MJ11032G.

Versión sin plomo

El transistor MJ11012G es la versión sin plomo del MJ11012.
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