Transistor bipolar BDX63

Características del transistor BDX63

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 60 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 80 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 8 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 90 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 1000
  • Frecuencia máxima de trabajo: 7 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +200 °C
  • Encapsulado: TO-3

Diagrama de pines del BDX63

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del BDX63 es el BDX62.

Sustitución y equivalentes para el transistor BDX63

Puede sustituir el BDX63 por el 2N6384, 2N6385, BDX63A, BDX63B, BDX63C, BDX65, BDX65A, BDX65B, BDX65C, BDX67, BDX67A, BDX67B, BDX67C, BDX69, BDX69A, BDX69B, BDX69C, MJ1000, MJ1001, MJ11012, MJ11012G, MJ11014, MJ11014G, MJ11016, MJ11016G, MJ11028, MJ11028G, MJ11030, MJ11030G, MJ11032, MJ11032G, MJ3000, MJ3001, MJ4033, MJ4034, MJ4035, TIP600, TIP601, TIP602, TIP640, TIP641 o TIP642.
Si encuentra un error, envíe un correo electrónico a mail@el-component.com