Transistor bipolar BDX65B
Características del transistor BDX65B
- Tipo: NPN
- Tensión Máxima Colector-Emisor: 100 V
- Tensión Máxima Colector-Base: 100 V
- Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
- Corriente DC Máxima del Colector: 12 A
- Disipación de Potencia Máxima: 117 W
- Ganancia de corriente continua (hfe): 1000
- Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +200 °C
- Encapsulado: TO-3
Diagrama de pines del BDX65B
Transistor PNP complementario
Sustitución y equivalentes para el transistor BDX65B
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