Transistor bipolar BDX65B

Características del transistor BDX65B

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 100 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 100 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 12 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 117 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 1000
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +200 °C
  • Encapsulado: TO-3

Diagrama de pines del BDX65B

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del BDX65B es el BDX64B.

Sustitución y equivalentes para el transistor BDX65B

Puede sustituir el BDX65B por el BDX65C, BDX67B, BDX67C, BDX69B, BDX69C, MJ11016, MJ11016G, MJ11032, MJ11032G o MJ4035.
Si encuentra un error, envíe un correo electrónico a mail@el-component.com