Transistor bipolar MJ11012G

Características del transistor MJ11012G

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 60 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 60 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 30 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 200 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 1000
  • Frecuencia máxima de trabajo: 4 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +200 °C
  • Encapsulado: TO-3
  • El MJ11012G es la versión sin plomo del transistor MJ11012

Diagrama de pines del MJ11012G

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Equivalent circuit

MJ11012G equivalent circuit

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del MJ11012G es el MJ11011G.

Sustitución y equivalentes para el transistor MJ11012G

Puede sustituir el MJ11012G por el MJ11012, MJ11014, MJ11014G, MJ11016, MJ11016G, MJ11028, MJ11028G, MJ11030, MJ11030G, MJ11032 o MJ11032G.
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