Transistor bipolar 2SB950A-P

• Tipo: PNP
• Tensión Máxima Colector-Emisor: -80 V
• Tensión Máxima Colector-Base: -80 V
• Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
• Corriente DC Máxima del Colector: -4 A
• Disipación de Potencia Máxima: 40 W
• Ganancia de corriente continua (h_fe): 4000 a 10000
• Frecuencia máxima de trabajo: 20 MHz
• Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
• Encapsulado: TO-220F

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.El transistor 2SB950A-P puede tener una ganancia de corriente de 4000 a 10000. La ganancia del 2SB950A estará en el rango de 2000 a 10000, para el 2SB950A-Q estará en el rango de 2000 a 5000.A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SB950A-P puede estar marcado sólo como "B950A-P".El transistor NPN complementario del 2SB950A-P es el 2SD1276A-P.Puede sustituir el 2SB950A-P por el 2N6041, 2N6041G, 2N6042, 2N6042G, 2N6668, 2N6668G, 2SA1488A, 2SA771, 2SB1020, 2SB1020A, 2SB1024, 2SB1227, 2SB1228, 2SB1481, 2SB601, 2SB673, 2SB674, 2SB751A, 2SB751A-P, 2SB885, 2SB886, 2SB951A, 2SB951A-P, BD244B, BD244C, BD538, BD540B, BD540C, BD544B, BD544C, BD546B, BD546C, BD648, BD650, BD652, BD800, BD802, BD810, BD900, BD900A, BD902, BD952, BD954, BD956, BDT60A, BDT60B, BDT60C, BDT62A, BDT62B, BDT62C, BDT64A, BDT64B, BDT64C, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDW24B, BDW24C, BDW46, BDW46G, BDW47, BDW47G, BDW48, BDW54B, BDW54C, BDW54D, BDW64B, BDW64C, BDW64D, BDW74B, BDW74C, BDW74D, BDX34B, BDX34BG, BDX34C, BDX34CG, BDX34D, BDX54B, BDX54BG, BDX54C, BDX54CG, BDX54D, BDX54E, BDX54F, BDX78, D44C10, D44C11, D44C12, D45C10, D45C11, D45C12, D45H11, D45H11FP, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJE702T, MJE703T, MJF127, MJF127G, MJF15031, MJF15031G, MJF6668, MJF6668G, TIP106, TIP106G, TIP107, TIP107G, TIP126, TIP126G, TIP127, TIP127G, TIP136, TIP136G, TIP137, TIP137G, TIP146T, TIP147T o TTB1020B.