Transistor bipolar BDW64D

Características del transistor BDW64D

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -120 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -120 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -6 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 60 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 750 a 20000
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-220

Diagrama de pines del BDW64D

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del BDW64D es el BDW63D.

Sustitución y equivalentes para el transistor BDW64D

Puede sustituir el BDW64D por el BD652, BDT88, BDT88F, BDW74D, BDX34D, BDX54D, BDX54E, BDX54F, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJF15031 o MJF15031G.
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