Transistor bipolar 2SB885

Características del transistor 2SB885

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -100 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -110 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -6 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -5 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 35 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 1500
  • Frecuencia máxima de trabajo: 20 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-220

Diagrama de pines del 2SB885

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SB885 puede estar marcado sólo como "B885".

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del 2SB885 es el 2SD1195.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SB885

Puede sustituir el 2SB885 por el 2SB1020, 2SB1020A, 2SB1227, 2SB1228, 2SB1252, 2SB1252-P, 2SB1252-Q, 2SB1626, 2SB1626-O, 2SB1626-P, 2SB1626-Y, 2SB601, 2SB601-K, 2SB601-L, 2SB601-M, 2SB673, 2SB886, MJF127, MJF127G, MJF6668, MJF6668G o TTB1020B.
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