Transistor bipolar 2SB751A

Características del transistor 2SB751A

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -80 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -80 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -4 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 40 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 1000 a 10000
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-220

Diagrama de pines del 2SB751A

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SB751A puede tener una ganancia de corriente de 1000 a 10000. La ganancia del 2SB751A-P estará en el rango de 4000 a 10000, para el 2SB751A-Q estará en el rango de 2000 a 5000, para el 2SB751A-R estará en el rango de 1000 a 2500.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SB751A puede estar marcado sólo como "B751A".

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del 2SB751A es el 2SD837A.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SB751A

Puede sustituir el 2SB751A por el 2N6041, 2N6041G, 2N6042, 2N6042G, 2N6668, 2N6668G, 2SA1488A, 2SA771, 2SB1481, BD244B, BD244C, BD538, BD540B, BD540C, BD544B, BD544C, BD546B, BD546C, BD648, BD650, BD652, BD800, BD802, BD810, BD900, BD900A, BD902, BD952, BD954, BD956, BDT60A, BDT60B, BDT60C, BDT62A, BDT62B, BDT62C, BDT64A, BDT64B, BDT64C, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDW24B, BDW24C, BDW46, BDW46G, BDW47, BDW47G, BDW48, BDW54B, BDW54C, BDW54D, BDW64B, BDW64C, BDW64D, BDW74B, BDW74C, BDW74D, BDX34B, BDX34BG, BDX34C, BDX34CG, BDX34D, BDX54B, BDX54BG, BDX54C, BDX54CG, BDX54D, BDX54E, BDX54F, BDX78, D44C10, D44C11, D44C12, D45C10, D45C11, D45C12, D45H11, D45H11FP, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJE702T, MJE703T, MJF15031, MJF15031G, TIP106, TIP106G, TIP107, TIP107G, TIP126, TIP126G, TIP127, TIP127G, TIP136, TIP136G, TIP137, TIP137G, TIP146T o TIP147T.
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