Transistor bipolar BDT60C

• Tipo: PNP
• Tensión Máxima Colector-Emisor: -120 V
• Tensión Máxima Colector-Base: -120 V
• Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
• Corriente DC Máxima del Colector: -4 A
• Disipación de Potencia Máxima: 50 W
• Ganancia de corriente continua (h_fe): 750
• Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
• Encapsulado: TO-220

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.El transistor NPN complementario del BDT60C es el BDT61C.Puede sustituir el BDT60C por el BD652, BDT62C, BDT64C, BDW48, BDW54D, BDW64D, BDW74D o BDX34D.