Transistor bipolar BDT60B
Características del transistor BDT60B
- Tipo: PNP
- Tensión Máxima Colector-Emisor: -100 V
- Tensión Máxima Colector-Base: -100 V
- Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
- Corriente DC Máxima del Colector: -4 A
- Disipación de Potencia Máxima: 50 W
- Ganancia de corriente continua (hfe): 750
- Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
- Encapsulado: TO-220
Diagrama de pines del BDT60B
Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.
Transistor NPN complementario
El transistor
NPN complementario del BDT60B es el
BDT61B.
Sustitución y equivalentes para el transistor BDT60B
Puede sustituir el BDT60B por el
2N6042,
2N6042G,
2SB1020,
2SB1020A,
2SB1227,
2SB1228,
2SB1252,
2SB1252-P,
2SB1252-Q,
2SB1481,
2SB1626,
2SB1626-O,
2SB1626-P,
2SB1626-Y,
2SB601,
2SB601-K,
2SB601-L,
2SB601-M,
2SB673,
2SB885,
2SB886,
BD650,
BD652,
BD902,
BDT60C,
BDT62B,
BDT62C,
BDT64B,
BDT64C,
BDW24C,
BDW47,
BDW47G,
BDW48,
BDW54C,
BDW54D,
BDW64C,
BDW64D,
BDW74C,
BDW74D,
BDW94C,
BDW94CF,
BDX34C,
BDX34CG,
BDX34D,
BDX54C,
BDX54CG,
MJF127,
MJF127G,
MJF6668,
MJF6668G,
TIP107,
TIP107G,
TIP127,
TIP127G,
TIP137,
TIP137G,
TIP147T o
TTB1020B.
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