Bipolartransistor S8050D

Elektrische Eigenschaften des Transistors S8050D

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 25 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 40 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.5 A
  • Verlustleistung, max: 0.625 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 160 bis 300
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des S8050D

Der S8050D wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor S8050D kann eine Gleichstromverstärkung von 160 bis 300 haben. Die Gleichstromverstärkung des S8050 liegt im Bereich von 85 bis 300, die des S8050B im Bereich von 85 bis 160, die des S8050C im Bereich von 120 bis 200.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum S8050D ist der S8550D.

Ersatz und Äquivalent für Transistor S8050D

Sie können den Transistor S8050D durch einen 2N4401, 2N5172, 2SD471A, KN2222, KN2222A, KSD471A, KSP2222A, KTC8050, KTC8050D, KTN2222, KTN2222A, M8050, M8050-D, MPS2222, MPS2222A, MPS2222AG, MPS2222G, MPS3704, MPS650, MPS650G, MPS6532, MPS6601, MPS6601G, MPS6602, MPS6602G, MPS8050, MPS8050D, MPSW01, MPSW01A, MPSW01AG, MPSW01G, NTE123AP, P2N2222A, P2N2222AG, PN100, PN2219, PN2219A, PN2222, PN2222A, PN3569, S9013, SS8050, SS8050D, ZTX449, ZTX450 oder ZTX690B ersetzen.
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