Elektrische Eigenschaften des Transistors KSD1020-G
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 25 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 30 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.7 A
Verlustleistung, max: 0.35 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 200 bis 400
Übergangsfrequenz, min: 170 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-92S
Pinbelegung des KSD1020-G
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor KSD1020-G kann eine Gleichstromverstärkung von 200 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSD1020 liegt im Bereich von 120 bis 400, die des KSD1020-Y im Bereich von 120 bis 240.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre PNP-Transistor zum KSD1020-G ist der KSB810-G.