Bipolartransistor 2SD545

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 25 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 25 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1 A
• Verlustleistung, max: 0.6 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 60 bis 560
• Übergangsfrequenz, min: 180 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-92

Der 2SD545 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SD545 kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 560 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD545-D liegt im Bereich von 60 bis 120, die des 2SD545-E im Bereich von 100 bis 200, die des 2SD545-F im Bereich von 160 bis 320, die des 2SD545-G im Bereich von 280 bis 560.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD545-Transistor könnte nur mit "D545" gekennzeichnet sein.Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD545 ist der 2SB598.