Bipolartransistor KSD1020

Elektrische Eigenschaften des Transistors KSD1020

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 25 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 30 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.7 A
  • Verlustleistung, max: 0.35 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 120 bis 400
  • Übergangsfrequenz, min: 170 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92S

Pinbelegung des KSD1020

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KSD1020 kann eine Gleichstromverstärkung von 120 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSD1020-G liegt im Bereich von 200 bis 400, die des KSD1020-Y im Bereich von 120 bis 240.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum KSD1020 ist der KSB810.

SMD-Version des Transistors KSD1020

Der 2SC2859 (SOT-23), 2SC4118 (SOT-323), BC818 (SOT-23), BC818W (SOT-323), KTC3876 (SOT-23) und KTC3876S (SOT-23) ist die SMD-Version des KSD1020-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KSD1020

Sie können den Transistor KSD1020 durch einen 2SC2001, 2SC4408, 2SD1207, 2SD1347, 2SD1835, 2SD471, 2SD545, 2SD789, KSD1021 oder KSD471AC ersetzen.
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