Bipolartransistor KSD1020
Elektrische Eigenschaften des Transistors KSD1020
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 25 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 30 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.7 A
- Verlustleistung, max: 0.35 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 120 bis 400
- Übergangsfrequenz, min: 170 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
- Gehäuse: TO-92S
Pinbelegung des KSD1020
Klassifizierung von hFE
Komplementärer PNP-Transistor
SMD-Version des Transistors KSD1020
Ersatz und Äquivalent für Transistor KSD1020
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